Förderbeginn 01.07.2005
High-Speed Data-Com-Laser (VCSEL) für Injection Locking Experimente

Prof. Dr.-Ing. Markus-Christian Amann
Technische Universität München
Walter Schottky Institut

Prof. Dr. Constance Chang-Hasnain
University of California, Berkeley
EECS - Electrical Engineering and Computer Science

Die Lehrstühle von Prof. M.-C. Amann am Walter Schottky Institut, TUM und von Prof. Chang-Hasnain an der University of California, Berkeley werden in der Herstellung und Charakterisierung von neuartigen, langwelligen Laser-Dioden (VCSEL) für die optische Breitbandübertragung kooperieren. Mittels eines neuen Fertigungsprozesses sollen in München Kunststoff-passivierte Laser mit geringen Parasitäten und optimiertem Design für breitbandige Modulationsexperimente entwickelt und hergestellt werden. Diese Laser werden im Injection-Locking-Betrieb in Berkeley charakterisiert. Wir erwarten Rekordwerte bezüglich der Kleinsignalantwort (S21) der gelockten Laser jenseits der 50 GHz-Grenze. Des Weiteren werden auch die Modulationseigenschaften sowie interne und externe Parasitäten der nicht-gelockten Laserdiode bestimmt, um ein neuartiges und verbessertes High-Speed-Design zu entwickeln.

Dank der Förderung durch BaCaTeC konnte eine sehr fruchtvolle Kooperation angestoßen werden. Zusammen gelang es neuartige high-speed Laserdioden zu entwickeln und zu charakterisieren. Diese Laser markierten neue Rekorde der Modulationsbadbreite in ihrer Klasse: 11 GHz direkt moduliert und 66 GHz Bandbreite unter Injection Locking. Diese Ergebnisse wurden in Fachzeitschriften veröffentlicht und mit großer Resonanz auf mehreren internationalen Konferenzen vorgestellt.

• X. Zhao, D. Parekh, E. Lau, H.-K. Sung, M. C. Wu, W. Hofmann, M.-C. Amann, and C. J. Chang-Hasnain: "Novel cascaded injection-locked 1.55-µm VCSELs with 66 GHz modulation bandwidth", Optics Express, 15, pp. 14810-14816, 2007
• E. Wong, X. Zhao, C. J. Chang-Hasnain, W. Hofmann, and Markus C. Amann: "Rayleigh backscattering and extinction ratio study of optically injection-locked 1.55 µm VCSELs", Electron. Lett., 43, 3, pp. 182-183, 2007
• E. Wong, X. Zhao, C. J. Chang-Hasnain, W. Hofmann, and M.-C. Amann: " Optically Injection-Locked 1.55-µm VCSELs as Upstream Transmitters in WDM-PONs", IEEE Photonics Technology Letters, 18, pp. 2371-2373, 2006
• W. Hofmann and M. C. Amann: "BCB-passivated 1.55 µm VCSELs for High Speed Applications", Nano-Optoelectronic Workshop and BaCaTeC Summer School in Advances of Photonics, Best Poster Award, Berkeley, USA, 2006
• W. Hofmann, N. H. Zhu, M. Ortsiefer, G. Böhm, Y. Liu and M. C. Amann: "High speed (> 11 GHz) modulation of BCB-passivated 1.55 µm InGaAlAs-InP VCSELs", Electron. Lett., 42, pp. 976-978, 2006

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